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MOS管是基于金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，它的控制电压作用于氧化物层，通过调节栅极电势来控制源漏电流。MOS管是FET中的一种，现主要用增强型MOS管，分为PMOS和NMOS。

MOS管的三个极分别是G(栅极)，D(漏极)，S(源极)。

三极管是基于PN结的二极管，是一种双极型晶体管，三级管内部有两个PN结，分别为集电结和发射结，它通过控制发射结的电流来调节集电极的电流。

三极管的三个极分别是B(基极)，C(集电极)，E(发射极)；

MOS管是电压控制的元件，而三级管是电流控制的元件。

三极管的be极之间可以理解为存在一个二极管，这也就产生了一个电流的通路，当给三极管施加高电平时，be之间会产生一个持续的电流，此时三极管被打开；高电平消失，电流也瞬间消失了，三极管也会关闭;由于维持三极管打开的必要条件就是三极管be之间存在着连续电流，所以三极管也被称之为电流控制元件。

而对于MOS管来说，栅极G和源极S之间是不存在通路的，他们之间仅存在一个寄生电容，当给栅极施加高电平时，会在一开始产生一个给寄生电容充电的电流，但除此之外，并不存在其他的电流，他只需要维持栅极和源极之间的电压差，MOS管就可以导通，甚至因为该寄生电容的存在，当我撤走了栅极G的高电平，接在漏极D的小灯泡仍然是亮着的，直到寄生电容上的电荷消耗完为止，MOS管才会关闭，这就是被称为电压控制元件的原因。

三极管和MOS管的区别主要体现方面：

控制原理：MOS管用电压控制，三极管用电流控制。三极管是电流驱动的，即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流；MOS管是电压驱动的，通过控制栅极和源极之间的电压来控制漏极电流。

输入阻抗：三极管的输入阻抗相对较低，而MOS管的输入阻抗通常很高。

成本：三极管通常成本较低，MOS管成本较高。

功耗：三极管的功耗相对较大，MOS管的功耗较小。

输入电流：三极管工作时基极总要吸取一定的电流，而MOS管的栅极几乎不取电流。

驱动能力：三极管适用于数字电路开关控制，MOS管适用于高频高速电路和大电流场合。

应用场景：三极管一般运用在低频的小功率电路，MOS管一般可以运用在高频大功率电路上。

备注：只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。

三极管和MOS管的区别方法

用万用表的二极管档（或1k~10k电阻档）测量，三极管的发射极e和集电极c都对基极b单向导通，而发射极e和集电极c之间互不导通；利用这一点可以确定是否三极管以及类型（PNP管或NPN管）；

场效应管（MOS管）则比较复杂，增强型和耗尽型的特点都不一样，但是栅极对源极和漏极一定是不导通的。

下面细讲一下MOS管，包括N沟道和P沟道.
G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边

   

箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道

寄生二极管方向判定

不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：
要么都由S指向D，要么都有D指向S

MOS管用作开关时在电路中的连接方法

NMOS：D极接输入，S极接输出
PMOS：S极接输入，D极接输出

MOS管的开关条件
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|

从MOS管实物识别管脚

无论是NMOS还是PMOS
按上图方向摆正，中间的一脚为D，左边为G，右边为S。
或者这么记：单独的一脚为D，逆时针转DGS。
这里顺便提一下三极管的管脚识别：同样按照上图方向摆正，中间一脚为C，左边为B，右边为E。

管脚编号

从G脚开始，逆时针123
三极管的管脚编号同样从B脚开始，逆时针123

用万用表辨别NNOS、PMOS
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。